Достигнутый к настоящему времени уровень интеграции ВЧ-компонентов в полупроводниковой отрасли сильно зависит от конкретной области применения, и в задачах, требующих повышенного уровня характеристик, такие компоненты, как правило, встречаются реже. В статье рассмотрены варианты сигнальных трактов и областях, в которых обычно применяются дискретные ВЧ ИМС с высокими показателями. Проанализирова... 
Схемы с высокой степенью интеграции, производимые по усовершенствованной кремниево-германиевой технологии BiCMOS, объединяют в себе квадратурный демодулятор, синтезатор с ФАПЧ, ГУН и стабилизаторы с малым падением напряжения, обеспечивая уменьшение размеров печатной платы при одновременном поддержании высоких показателей. 
Повышение КПД мощных усилителей было и остается важной проблемой для производителей оборудования систем беспроводной связи, которые стремятся выпускать более дешевые и менее габаритные устройства, которые потребляли бы как можно меньше электроэнергии от сети (меньший ток батарей в портативном оборудовании). В настоящее время предложен и исследуется целый ряд возможных решений этой задачи. В бол... 