Новая технология производства транзисторов CasFET

Новую технологию создали исследователи из Университета Пардью (Purdue), по их утверждению она способна помочь уменьшить размеры существующих транзисторов, которые уже достигли практически атомарных размеров и дальнейшее их уменьшение осложняется квантовыми эффектами, например, туннелированием электронов, а также дробовым шумом. Поэтому разработчики чипов стремятся создать новые транзисторы, свободные от указанных недостатков. Например, компания Intel разработала транзистор RibbonFET, в котором проводящий канал разделен на несколько областей, каждая из которых полностью окружена затвором и ...