Новая технология производства транзисторов CasFET

Новую технологию создали исследователи из Университета Пардью (Purdue), по их утверждению она способна помочь уменьшить размеры существующих транзисторов, которые уже достигли практически атомарных размеров и дальнейшее их уменьшение осложняется квантовыми эффектами, например, туннелированием электронов, а также дробовым шумом.

Поэтому разработчики чипов стремятся создать новые транзисторы, свободные от указанных недостатков. Например, компания Intel разработала транзистор RibbonFET, в котором проводящий канал разделен на несколько областей, каждая из которых полностью окружена затвором и изолирована.

Новая технология, предлагаемая исследователями, заключается в каскадировании полевых транзисторов (Cascade Field-Effect Transistors – CasFET). Внешне они напоминают RibbonFET, но на этом сходство заканчивается, и начинаются различия. Первое основное отличие заключается в том, что в CasFET используются так называемые субзоны (sub-bands) или энергетические зоны, в которых могут находиться электроны. При этом, как говорят разработчики, поведение транзистора скорее напоминает квантовый каскадный лазер, а не обычный FET.

Второе различие состоит в том, что в отличие от традиционных FET, затвор и каналы в RibbonFET перпендикулярны друг другу. Кроме того, разработчики новинки уверены, что новая технология позволит расширить диапазон рабочих напряжений и улучшить динамические свойства транзисторов.

Однако, судя по имеющимся результатам, на сегодняшний день CasFET более похож на концепцию, чем на реальное устройство. Если же исследователям удастся реализовать свою идею, то CasFET найдут широкое применение в самых различных приложениях электроники. Купить транзисторы можно уже сейчас, тогда как этот прибор дело ближайшего десятилетия.